沒有時間磨磨蹭蹭的黃豪傑，直接讓王博思發動銀子攻勢，用兼並的方法催生星圖公司的芯片設計能力。
杜微他們加上從三個半導體設計公司獲得的芯片設計人員，以及張汝京購買的一大堆30～90納米芯片專利，開始了自主設計的計劃。
盡管這些芯片專利已經是別人淘汰的，但是不代表都是垃圾，畢竟芯片設計很多東西的相通的。
比如5納米的芯片設計，放在50納米級別的芯片之中一樣可以使用，同樣50納米的芯片設計在5納米級別的芯片上麵也是同樣的道理。
可能這樣做會導致芯片性能和原設計出現倒退現象，但是這個關鍵不在於芯片設計上麵，而在於芯片製造上麵。
畢竟你可以設計1納米級別的芯片又如何，沒有製造1納米級別芯片的能力，一切都是鏡花水月。
就像花為公司的芯片，你海思半導體的設計能力非常厲害，問題是你自己沒有芯片製造能力。
一旦台基電有什麽冬瓜豆腐，花為公司就會出現芯片短缺或者斷供，這不是要完犢子。
同樣中新通信公司也一樣，2016年被米粒家搞得灰頭土臉，幾十億罰款可是相當於中新通信公司兩年的利潤，這樣就白幹了。
黃豪傑寧可自己慢慢研究，也不會輕易將核心部件的生產，交給歪果仁來做。
像三鑫公司最喜歡搞這種事情，無論是手機屏幕和內存。
DRAM，即動態隨機存取存儲器，也就是我們最為常見的係統內存。
無論是手機、電腦還是任何智能設備中的內存（例如內存條）都是由單個或多個DRAM顆粒組成的。
根據2016年的數據，全球DRAM市場規模約410億美刀，其中三鑫、SK海力士、美光已經呈現三分天下的架勢，三家占據95%以上的市場份額，行業具有寡頭壟斷特征。
三鑫無論工藝、產能還是占有率都有絕對優勢。
2014年第一個量產20nmDRAM工藝之後，再次領先並量產18nmDRAM。SK海力士2017年初量產18nmDRAM。美光目前還停留在20nm的路上，預計2017年下半年完成向1Xnm級別產品的遷移，與三鑫技術差距為達1年左右，行業壟斷性有增強趨勢。
而如果一把火燒了三鑫的廠房，也就意味著內存產量將驟減57%，供需將極大地失衡，於是全世界內存都要不可避免地大漲價。
所以這些家夥的廠，總是會莫名其妙的著火或者什麽化學汙染之後，然後內存條價格就飆漲。 本章尚未完結,請點擊下一頁繼續閱讀---->>>