會議室裏徐工也是鬆了口氣，這次負責攻關0.18微米製程工藝的負責人是他，他也是擔心自己在技術路線上出現了重大問題。
“大家看這張電鏡探傷圖，左邊是這次的良品，右邊是這次的不合格品，左邊正常形態下的埋入層擴散結構和右邊的區別是很明顯的，我知道大家現在一定在想，為什麽會出現右邊這些次品？問題出在哪呢？”
會議室裏麵很多技術人員也是踴躍發言。
“剛才這位黃海波判斷的不錯，這個情況確實跟我們擴散層離子注入工序有問題。”
這位被點到名的技術人員眼中露出驚喜的神色。
“那麽我問你，這道工序到底出現了什麽問題？”楊傑追問道。
這個技術人員卻是回答不上來。
“楊少，難道是注入機的真空度問題？”徐少秋問道。
“不錯，就是注入機的真空度不夠，從而引起埋入擴散層的氧化膜厚度中間薄周邊厚，薄的部分隔離差，造成中間漏電。”
台下工程師們有的表情恍然大悟，有的則是興奮地點頭，表示不出所料，楊傑的判斷和他們一樣。
楊傑繼續道：“我認為失敗也是好事，給了我們總結的經驗嘛，要是不出事，我倒覺不好，那樣一來大家反而什麽都學不到。”
他看著席海清說道：“席總，你馬上把瑞星科技公司目前正在研發中的新型離子注入機的改良版真空部件拿過來對華越電子公司的設備進行升級改裝。從他們給出的新設備真空參數來看，改裝升級以後應該就能馬上解決問題，過幾天第二批工程流片出來以後，大家對著電鏡圖片就能看出區別了。”
“是，楊少，我馬上安排。”
在座的工程師們有的心裏還是懸著，擔心這次改裝升級要是依然解決不了問題可怎麽辦呢？
楊傑繼續按動鼠標，把投影儀上的圖片換了一張，繼續講解道：“這張圖很經典啊，這是柵鄔化矽附著不良的典型特征，是多晶矽生長工藝的問題，隻要改進柵鄔化矽生長前的清洗工藝，從而消除附著不良的現象就可以了。”
底下幾位負責矽晶片的工程師聽到這個也是趕緊記下楊傑所說的改進方案。
楊傑繼續給大家講解今後製程工藝需要改進的地方和具體方法，大家聽得津津有味，飛快地記著筆記，人人都覺得眼前被楊傑打開了一扇嶄新的大門，而這道門是以前一直苦於西方技術封鎖而始終不得窺其究竟的！ 本章尚未完結,請點擊下一頁繼續閱讀---->>>