半導體材料公司光刻膠技術部門也是從i線光刻膠開始的，通過霓虹國設置在呂宋國的光刻膠工廠得到了工藝資料後楊傑也是找到了黃明超等在做光刻膠的技術人員摸索出了i線光刻膠的配方，之後開始自主研發氟化氪、氟化氬光源的光刻膠。
不過楊傑並沒有讓F2光源的光刻膠，而是直接讓他們研發極紫外光的光刻膠。
通過數年的研發，黃明超等技術團隊此時已經研發出了極紫外光的光刻膠，可是因為沒有合適的光源來做實驗驗證，去鷹醬的國家實驗室去做實驗的話等的時間太長了。
這次神光光源設施試運行，技術團隊也是向總部第一個遞交了申請，楊傑也是同意了下來。
要想研發極紫外光光刻機有幾個關鍵的子係統要解決，首先就是極紫外光的光源，現在小功率的極紫外光光源還沒有研發出來，所以很多實驗隻能先是來這個大型的實驗室來做。
現在神光光源設施開始試運行，也是為小型化的極紫外光光源打下了非常堅實的基礎。
因為光刻機的光源功率要求在250W，而神光光源的光束能量比這個不知道要高到哪裏去了，所以實驗的時候功率都是要通過遠程的能量調節器調到需要的光源功率才能進行實驗。
在光刻膠方麵，要實現大規模量產要求光刻膠的照射反應劑量水平必須不高於20兆焦每平方厘米，不過極紫外光的光刻膠的照射劑量普遍需要達到多少每平方厘米的照射劑量才能得到完美圖像必須要經過大量的實驗才能確定下來，畢竟光刻膠的配方不同。
這中間由於極紫外光的破壞性太大，照射的時候會產生的一些光子隨機效應，這中間就包括了光子發射噪聲現象，照射光光子數量的變化會影響光刻膠的性能，因此會產生一些成像缺陷。
而且光刻膠不僅具有純度要求高、工藝複雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。
一般情況下，一個芯片在製造過程中需要進行10到50道光刻過程，由於基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。
針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。
通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠製造商最核心的技術。
半導體材料公司下麵的光刻膠技術部門現在差不多有數百名的化學工程師團隊，不停地在研製光刻膠的配方，不停地做實驗，就是為了滿足不同應用需求的光刻膠配方。
可以說黃明超他們研發極紫外光光刻膠的任務那是真的非常繁雜，而牽涉到的部門也是非常多，牽一發動全身，所以華興集團公司的研發向來都是有不同的技術部門共同參與，並不是單打獨鬥。 本章已閱讀完畢(請點擊下一章繼續閱讀!)