楊傑對此倒是有足夠的耐心，前世的時候艾斯摩爾公司也是花費了十多年時間和技術積累才推出了紫外光光刻機產品出來。
其實從2000年以來，在光學光刻技術努力突破分辨率“極限”的同時，海外很多研究機構也是在研發包括極紫外線光刻技術，電子束光刻技術，X射線光刻技術，納米壓印技術等不同的光刻技術。
其中X射線光刻技術被提出來進行研發的主要原因是因為X射線的波長極短，X射線在用於光刻時的波長通常在0.7到0.12納米之間，它極強的穿透性決定了它在厚材料上也能定義出高分辨率的圖形來。
不過這種技術現階段來說有兩個極大的困難，一個就是如何得到能夠長時間穩定可靠工作的光源，到現在為止，世界上還沒有辦法造出符合這樣條件的的光源來，因為現階段人類製造出第三代同步輻射光源都已經拿出吃奶的勁了。
而且使用X射線光刻技術最主要且最困難的技術就是掩模製造技術，其中1：1的光刻非常困難，是妨礙技術發展的難題之一。
在過去的發展中，科學家對其已經得到了巨大的發展，也有一些新型材料的發現以及應用，有一些已經在實驗室中得以實踐，但對於工業發展還是沒有什麽重大的成就。
X射線掩模的基本結構包括薄膜、吸收體、框架、襯底，其中薄膜襯基材料一般使用矽、碳化矽、金剛石，吸收體主要使用金、鎢等材料。
要能夠使X射線以及其他光線的有效透過，且保障其有足夠的機械強度，具有高的X射線的吸收性，且要足夠厚，保障其高寬比的量，且其要有高度的分辨率以及反差，對於其掩模的尺寸要保障其精度，要沒有缺陷或者缺陷較少。
另外還要研發特殊的光刻膠，難度比華興集團公司研製極紫外光光刻膠的難度還要大。
所以這項技術隻能是作為預研，現階段根本沒有實現的可能。
至於一些研發機構進行研究的納米壓印光刻技術，主要包括熱壓印、紫外壓印以及微接觸印刷，這個技術原理就跟蓋章一樣，采用高分辨率電子束等方法將結構複雜的納米結構圖案製在印章上,然後用預先圖案化的印章使聚合物材料變形而在聚合物上形成結構圖案。
不過這種技術也是受限於現階段設備製造技術和化學材料技術，就算是用這種技術也需要極為精密的電子束設備在碳化矽材料上進行刻蝕圖案，還要研發塗敷在晶圓上的不同聚合物，工藝也並不簡單，也需要大量的廠商進行合作。
現在光刻技術已經是非常成熟了，大量的廠商都能從這個過程中得到利益，誰會願意為了一個誰也不能保證一定成功的新工藝方法來投入大量的人力物力財力去研發這些，輕易地改變自己的技術路線呢！
而且極紫外光則是目前距實用化最近的一種深亞微米的光刻技術，因為鷹醬在八十年代就對極紫外光技術進行了理論上的探討並做了許多相關的實驗，而且也是第一個造出第三代輻射同步光源的國家。 本章尚未完結,請點擊下一頁繼續閱讀---->>>