其實差不多半年前的時候米國那邊也是召開了光刻技術展覽會，在展覽會上米國的光刻機光源科技公司Cymer公司研製的離子束光源展示的技術成果隻能是做到55瓦，雖然說光源波長比瑞星科技公司公司的波長要短，能做到22納米，但是因為功率低，現階段來說是無法真正投入實用的。
這次瑞星科技公司卻是率先將這種激光光源做完全做到了實用化，也就是說在光源係統上已經領先於米國的這家Cymer公司。
這也意味著瑞星科技公司公司即將推出的新型光刻機可以將製程工藝做到10納米以下，這對整個半導體業界來說都是一件極為重大的事情！
此時坐在台下的爾英特集團公司的代表和艾斯摩爾公司的代表臉色都是非常難看。
瑞星科技公司公司的光源係統在華興科技集團公司以及中科院的加持下一直研發氮化镓半導體固態激光光源，因為這套光源技術裏麵的核心技術和材料都是國內獨有的，而且華興科技集團公司一直在玩大功率的激光光源，而且也是將高功率脈衝電源技術也給用了進去，前幾年就研製出了高達500千瓦的高能激光光源，通過幾年的測試改進，也是移植到了光刻機的光源係統上，所以在光源係統上的研發是很順利的。
華興科技集團公司從一開始就開始玩半導體激光，一開始從激光讀寫頭開始玩起，後來開始玩半導體激光光源波長最短的氮化镓激光光源，並且利用國內在非線性光學晶體材料上的絕對技術優勢玩激光倍頻技術，瑞星科技公司公司自然在光刻機光源係統上能得到最好的技術成果。
光刻機是用來幹活的，客戶有著強烈的產能的需求，在相同的曝光量下，光源的功率越高，曝光需要的時間越少，這樣單位時間裏麵產能越高。
再加上要得到這樣高功率的極紫外光，需要功耗極大的激光器，電能轉化為激光時也是變為了熱量損耗掉了一大部分，其次修正光的前進方向時，每一次反射仍會損失3成能量，經過十幾麵反射鏡，將光從光源一路導到晶圓，最後大概隻能剩下不到2%的光線。
被吸收的能量必須要用大功率散熱係統進行冷卻，而激光器本身工作時候會產生很大的熱量，也是需要一套優良的散熱冷卻係統，才能保證機器正常工作，可以說是不折不扣的耗能大戶。
不誇張的說，現在華興科技集團公司在半導體激光技術領域成了全世界絕對的技術霸主。
這之前三陽光學公司研製出可以長時間經受住極紫外光光源照射破壞的鍍膜材料已經可以承受住波長在25納米極紫外光光源照射的反射鏡鏡頭裝置，不過這次瑞星科技公司並沒有使用25納米的深紫外光源，因為華興科技集團公司的半導體材料公司這兩年研製出來的光刻膠才能承受住35納米的深紫外光的輻射損傷。
為了攻克這些世界級的難題，三陽光學公司這些年技術團隊那是沒日沒夜地用時間和不斷地實驗改進材料和加工工藝一點點地將這些硬骨頭給啃下來的。
盡管艾斯摩爾公司可以得到米國國內最好的極紫外光刻機需要的最好光源和計算光刻等方麵的應用服務，而且提前兩年推出了極紫外光刻機的原型機，但是瑞星科技公司公司卻是上下一心，硬是靠著砸錢砸人砸時間將極紫外光刻機研發樣機開始投入正式地開始投入實用化。 本章尚未完結,請點擊下一頁繼續閱讀---->>>