但石墨烯有一個致命問題，它帶隙為零，因此無法將其關閉。
帶隙是半導體最重要的東西，帶隙為零相當於連門都沒有，這還玩個屁啊，完全不具有半導體性質。
人造帶隙也可以。
但工序會更加複雜，而且性能還會降低，性價比還不如矽這個材料了。
與之相對的，碳化矽要比石墨烯更適合做新半導體材料。
碳化矽的禁帶寬度是矽的3倍，導熱率為矽的4~5倍，擊穿電壓為矽的8倍，電子飽和漂移速率為矽的2倍......
特性太好了，能承受更大的電流和電壓、更高的開關速度、更小的能量損失、更耐高溫。
用碳化矽的做成的功率模組可以相應的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件，使得整個功率器件模組更加輕巧、節能、輸出功率更強，同時還增強了可靠性。
簡單來說就是性能差不多的情況下，體積小還節能，優點十分明顯。
也因為這些優點，碳化矽在未來十幾年後成為了第三代半導體材料，新的‘黃金賽道’。
有優點也有缺點。
碳化矽缺點在於高純碳化矽粉體製備困難，成本極高是矽的幾百倍。
矽用直拉法，72小時能生長出2~3米左右的矽單晶棒，一根單晶棒一次能切下上千片矽片。
而目前最快的碳化矽單晶生長的方法，生長速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右，72小時也僅有7.2mm~14.4mm厚度的晶體。
6英寸矽拋光片僅150元，6英寸碳化矽則是8000~10000元。
要求半導體級純度的話，價格還會更高一點。
隻有原材料足夠便宜，產業規模才可能做大。
雖然比石墨烯好，但也好的有限。
回歸正題，22世紀淨水器技術含量比李同光預想的要高。
準確來說，上麵所使用的納米材料很黑科技。
“哪怕有實物逆推破解，估摸著也得閉關研究......”
天才頭盔加持，李同光有種莫名的科研直覺。
他根據直覺，給了一個比較保守的數字：“得研究三天吧？”
“一天時間學習納米材料，一天時間學習相關的電化學與膜分離，第三天進行破解。”
“製備工藝是一個難點，破解時間不好說。”
李同光撓了撓後頸：“要是有超算的話應該能容易一點。”
“超算啊，我這點容量肯定不夠超算。”
“有什麽幾十公斤以內，算力堪比超算的黑科技呢......”
李同光翻看著電腦，找到了幾個目標。
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