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第345章 首要目標(2/4)

作者:桃李成蔭字數:10220更新時間:2020-08-04 04:06:54

    “是距實用化最近的一種深亞微米的光刻技術。”

    “業內,普遍有一種認知,如果不早點推出極紫外光刻技術,來對當前的芯片製造方法做出全麵的改進,將使整個芯片工業處在岌岌可危的地步。”

    “所以,其實新時代的節點,變革點,已經能夠清晰的預見。”

    “極端紫外光刻技術所使用的光刻機的對準套刻精度要達到10nm,其研發和製造原理實際上和傳統的光學光刻在原理上十分相似。”

    “對光刻機的研究重點,是要求定位要極其快速精密,以及逐場調平調焦技術。因為光刻機在工作時拚接圖形,和步進式掃描曝光的次數很多。不僅如此,入射對準光波信號的采集,以及處理問題還需要解決。”

    “EUV技術的進展還是比較緩慢的,投資巨大。當前,其實沒有幾家廠商,能夠將這項技術應用於生產中。唯一的ASML公司,做出來的東西,也僅僅算是勉強能用。”

    “各家廠商都清楚,半導體工藝向往下刻,使用EUV技術是必須的。波長越短,頻率越高,光的能量正比於頻率,反比於波長。”

    “但是因為頻率過高,傳統的光溶膠直接就被打穿了。現在,半導體工藝的發展已經被許多物理學科從各個方麵製約了。”

    “現在的問題的是,第一,EUV光刻機造價太高,好幾千萬優元。”

    “第二,沒有真正合適的光源。”

    “第三,沒有合適的掩模。第四,未研發出合適的光刻膠!”

    “所以,我是打算,咱們可以在光源上,琢磨琢磨。”

    說道這裏,辛啟天頗有些意猶未盡舔了下嘴角,眼神放光的說道:“其實如果不考慮整體行業發展,我個人,更想去研究電子束光刻。”

    “用電子源發出電子束,經過掩膜和電子透鏡,將圖案投射到矽片上,從而形成電子線路!”

    “但是,電子束高精度掃描成像曝光效率低。在抗蝕劑和基片中的散射和背散射現象,造成的鄰近效應。以及其他很多問題。”

    “整個行業,目光都不聚集在這裏。”

    “領先一步是天才,領先十步就是瘋子。”

    “不過,我對這東西,非常感興趣。如果能做的好,可以應用於量子元器件等等生產。甚至,還可以搞粒子束武器。”

    停頓了片刻,最終,辛啟天還是沒有把內心深處的想法說出來。

    那就是,電子束如果技術進一步成熟,完備到最基礎的粒子階段。對於他搞出來的常溫超導體生產製造,應該是有一定幫助。

    或許可以擺脫巨大能耗,來保持超導體狀態的機器桎梏。

    當然,僅僅是有可能。

    在學習這些理論當中,辛啟天的一點發散性思維罷了。他並沒有完全深入去研究。

    一直以來,辛啟天都不會很深入的脫離現實,去研究高深的理論知識。

    相比於科學家來說,辛啟天更像是一個工程師!他最童真的願望,就是製造出各種幻想當中的機器。而不是單純在理論中,尋找未來的理論。 本章尚未完結,請點擊下一頁繼續閱讀---->>>

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