“這不是譚總最希望看到的結果麽。”楊傑笑著道。
次日，楊傑也是出現在了新藍科技公司的研發中心，會議室裏麵坐滿了公司研發部門的技術工程師，中間還有二十多名的MI國的工程師。
他指著投影屏幕上自製的PPT說道：“大家看啊，這個多晶矽柵下麵是三層絕緣薄膜，這三層薄膜分別是隧穿氧化層、氮化矽、屏障氧化層，其中氮化矽具有極高的電子陷阱密度，可以捕獲電子，達到存儲電荷的目的，帶電就是1，不帶電就是0。”
楊傑繼續說道：“氮化矽之前隻是用在對底層金屬實現覆蓋，因為針孔很少，對水汽和鈉在氮化矽材料中擴散非常慢，這次我們將氮化矽注入溝道邊沿。”
他看到眾人都是露出了困惑的表情，笑著解釋道：“我們都知道半導體中有兩種載流子，一種是電子，一種是空穴，在對單元進行寫入操作時，采用熱電子注入法，將熱電子注入溝道邊緣的氮化矽，這樣就完成了寫入過程，在作擦除時，利用價帶間的空穴，將空穴注入溝道邊緣的氮化矽，消除電荷，就完成了擦除。
“由於氮化矽的絕緣性，熱電子效應產生的電子隻能被注入並限製在溝道邊緣。正是這樣，兩側溝道一旦全部帶電就是11，全部不帶電就是00，但是我們一旦把兩側溝道其中一側進行單獨擦除，就會出現四種情況，一種是01，一種是10，於是我們就在不進行複雜工藝改變的前提下，讓現有的閃存容量增加了一倍。”
“在這個基礎上，我們可以今後發展出多電壓控製柵極多層注入電荷技術產品，實現多層的堆疊，可以用這種技術在現有的製程工藝上最大限度地增加閃存的容量，而不是完全依靠製程工藝的提升，這也大大地降低了閃存的成本。”
聽到這裏，會議室裏一片嘩然，眾人都是無比驚喜，韓小龍此時激動地鼓掌，隨後大家都是跟著用力地鼓起掌來。
“楊少你太神了！我們得趕緊實驗！趕緊寫論文申請專利！”韓小龍激動地說道。
“楊先生，你的設想太完美了！我覺得可行！真的可行！這個路子怎麽以前就沒人想到呢！你真是天才！”
此時好幾個MI國工程師都是激動地站起來嚷嚷。
“楊少，我有個問題，這種技術路線的確讓一個存儲單位可以承載四個信息，比以前翻了一倍，可接下來怎麽讀取呢？”一個工程師舉起手問道。
“這四種情況的電壓是不同的呀，我們隻要設計出一套解碼電路，用於讀取並解析數據就行，具體的解碼電路還需要你們去設定。”楊傑笑著道。
“楊少，我們馬上對解碼電路進行設計，我差不多有了想法，我保證下一周把芯片設計拿出來，隨後就能進行製程工藝流程的設計，最晚月底，我們就可以進行第一次工程流片！”
韓小龍激動地說道。
“很好，我等著你們的好消息。”楊傑看到眾人都跟打了雞血一樣，笑著點頭道。
現在他捅破了這層窗戶紙，新藍科技公司將成為世界上第一家采用3D閃存技術的設計企業！也可以說是徹底地擺脫目前所受的英特爾和東芝的閃存專利束縛，抵消了需繳納給國際閃存技術聯盟的專利費！
隻要芯片流片成功，拿到專利申請，國外的這些閃存大廠反過來還要向公司繳納專利費！
看到一臉笑容的楊傑站在那裏，韓小龍等人心中都是無比感慨：楊少真是一位神人呀！
楊傑也是準備留在這裏親自參與接下來的芯片設計研發，但是第二天一個電話卻是讓他不得不趕到了電化學實驗室——
朱總理來電化學實驗室視察了！ 本章已閱讀完畢(請點擊下一章繼續閱讀!)