英飛淩用體矽工藝製造出來的晶體管和晶體管邏輯器件在集成能力上是最好的，與砷化镓和氮化镓相比，這套工藝不需要額外的氧化層，也不需要不同的材料作為晶圓加工的一部分，這意味著生產成本可以控製在非常低的水平，而且也能實現電路板板上空間受限的設計，這是一種製造成本低、性能較高和具備不錯低功耗性能的成熟技術。
現階段來說中晶微掌握得最好的工藝技術是FinFET工藝，在傳統的金屬氧化物半導體結構晶體管和晶體管邏輯器件上的工藝還是欠缺些，這方麵萬國商業機器公司和英特爾德州儀器這樣的傳統晶圓大廠在這方麵有著大量的技術專利，形成了無比堅固的專利壁壘。
而且這些公司這麽多年來不斷地在傳統的架構上進行改良，其中就包括利用高K電介質減少漏電，再一個就是利用了應變矽技術，還有利用金屬柵極應對多元消耗的技術。
英特爾這方麵技術是做得最好的，現在已經是開始將高K電介質和金屬柵極技術引入了自己45納米工藝製程節點。
譚雲鬆帶領的技術團隊在加入中晶微後主攻的方向是FinFET和SOI這兩種工藝，因為這兩種工藝都是新結構，受國外的技術限製少，但也不意味著公司就沒有在傳統的金屬氧化物半導體結構工藝上下功夫。
不過國內在這方麵欠賬很多，這需要耗費大量的精力，隻能是通過招募這方麵的技術人員過來培養技術團隊。
中晶微在FinFET工藝的基礎上也是提出了SOI結構工藝，這兩種結構的主要結構都是薄體，因此柵極電容更接近整個通道，本體很薄，大約在10納米以下，所以沒有離柵極很遠的泄漏路徑，柵極可有效控製泄漏。
現在公司FinFET結構工藝可以在體矽或SOI晶片上實現，提供了超過體矽金屬氧化物半導體結構的許多優點，給定晶體管占空比的更高的驅動電流，更高的速度，更低的泄漏，更低的功耗，無隨機的摻雜劑波動，因此晶體管的移動性和尺寸更好，但是工藝成本上還是比金屬氧化物半導體結構工藝的芯片成本要高。
而絕緣體上矽，也就是SOI結構工藝和傳統金屬氧化物半導體結構的主要區別在於：SOI器件具有掩埋氧化層，其將基體與襯底隔離，也就是晶圓片的不同，SOI晶圓片的硬度比體矽的要高很多，而且它非常難以控製整個晶圓上的錫矽膜，而且要要用到特別精密的專用設備將晶片減薄到100納米以下，可見起征點難度。
相比較而言，FinFET工藝缺點之一是其複雜的製造工藝，而SOI工藝的絆腳石就是SOI晶圓片的生產供應，SOI晶圓成本能占到占總工藝成本的10％左右。
這兩種工藝用來生產利潤很高的芯片還是可以的，但是絕大多數的芯片成本就是要控製在一個很低的水平才有競爭力。
之前中晶微收購了特許半導體的晶圓廠是得到了一批傳統金屬氧化物半導體結構工藝的技術人員，但是很多的工藝都是要得到西方公司的生產工藝授權，技術源頭還是來自於鷹醬國內的這些公司。
雖然這些年中晶微在金屬氧化物半導體結構工藝上也是取得了一些技術專利，但是比起英特爾和萬國商業機器公司來說還是跟在他們麵追趕。
SOI和FinFET結構其實英特爾和萬國商業機器公司都是有在研究，憑著他們龐大的研發人員進行技術攻關在這些方麵都是追得非常緊。 本章尚未完結,請點擊下一頁繼續閱讀---->>>