SOI工藝與金屬氧化物半導體工藝相比較的話，在28納米節點，SOI晶圓有一定的優勢，但是到了20納米和14納米，SOI的優勢就很明顯了，SOI晶圓的成本低於金屬氧化物半導體的，更遠低於FinFET的晶圓成本。
楊傑清楚地知道隻有高端計算機或者服務所用的高性能處理器能承受FinFET的高成本，從半導體產業發展來看，智能手機是重要的推動力量，不過智能手機處理器要承受價格和功耗的壓力。
作為現階段智能手機的巨頭公司，華興集團公司選擇發展SOI工藝自然是非常現實的選擇，現在華興集團公司自己已經能夠開始生產絕緣體上矽晶圓片，但是SOI工藝和金屬氧化物半導體的工藝是相似的，到最後華興集團公司還是要補上自己的技術短板。
英飛淩在金屬氧化物半導體結構設計開發上是很拿手的，而且這些技術移植到SOI難度並不大。
前世的時候，意法半導體依托SOI工藝在28納米節點實現了主頻高達3G赫茲的雙核A9處理器，在手機實際應用中，其功耗比主頻1.4GH中的四核A9處理器還低，有力地展示了SOI工藝的優勢。
這種SOI工藝可以將工作電壓降低至大約0.6V，而相比之下金屬氧化物半導體工藝的最小極限值一般在0.9V左右，使用SOI的後向偏置技術可以提供更寬動態範圍的性能，因此特別適合移動和消費級多媒體應用。
作為重生的頂尖集成電路科學家，楊傑對每一種的一種工藝技術都是了解其未來可擴展性，至少從14納米到7納米，SOI可以發展出三代工藝技術。
實際上，SOI工藝更易實現高性能存儲設計，在處理器的開發上，SOI的嵌入式存儲解決方案不但獲得了容量的提升，更在性能上大幅提升。
SOI與FinFET可謂殊途同歸，所以兩種工藝並非完全對立的技術，SOI工藝也是可以從2D發展到3D，即發展為SOIFinFET工藝。
現在國內已經基於FinFET結構工藝發展出了一個生態係統，已經形成了工藝研究、晶圓、IP、代工廠、集成電路設計服務公司、集成電路設計公司的產業鏈。
楊傑也是希望在這個基礎上再次能夠圍繞SOI結構工藝建立一個生態係統。
現在華興集團公司已經掌握了SOI晶圓的製備技術，現在已經在實驗生產線上開始導入SOI工藝來試製采用SOI材料的處理器，不過龍芯半導體公司在SOI結構工藝的IP設計上經驗不夠，進度還是比較緩慢，不過公司還是在堅持自主研發。
工藝是基礎、設計是龍頭，設計必須與工藝緊密結合，國內缺乏在金屬氧化物半導體結構工藝上的技術團隊不是一朝一夕就能實現的。
SOI在射頻領域領域的應用潛力非常大，這方麵英飛淩旗下的無線技術部門和英飛淩旗下的晶圓廠是比較拿手的，在考察英飛淩無線技術部門的時候楊傑也是深有體會的。
還真是瞌睡來了有人送枕頭呀！
楊傑心中也是竊喜不已，此時他已經是下定了決心要將這支技術團隊給買下來，不過這份心思他卻是絲毫沒有泄露出來。 本章已閱讀完畢(請點擊下一章繼續閱讀!)